Description du produit :

Lorsque de la chaleur et des produits chimiques oxydants sont appliqués sur une plaquette de silicium, une couche de dioxyde de silicium (SiO2) est créée. Ce processus est connu sous le nom d'oxydation thermique. Bien que n'importe quel gaz halogène puisse être utilisé, l'hydrogène et/ou l'oxygène gazeux sont le plus fréquemment utilisés pour créer cette couche. Pour la plupart des besoins, la croissance thermique de l'oxyde utilise une source de chaleur pour accélérer cette réaction et produire des couches d'oxyde jusqu'à 25,000Å d'épaisseur. La croissance du dioxyde de silicium se produit sur des tranches dans l'air ambiant jusqu'à une épaisseur d'environ 20 Å (angströms).
Bien que les plaquettes d'oxyde thermique aient plusieurs utilisations, elles sont principalement utilisées dans les dispositifs MEMS (systèmes microélectromécaniques) et comme matériau diélectrique.

Il existe deux méthodes principales pour oxyder thermiquement les tranches de silicium, et toutes deux nécessitent le développement d'oxygène à la surface de la tranche.
En revanche, la couche d'oxyde est formée au-dessus de la tranche dans les applications CVD.

Oxyde thermique humide

Les films d'oxyde thermique humides sont généralement utilisés dans des situations nécessitant une couche plus épaisse de dioxyde de silicium.

Oxyde thermique sec

Comparé à l'oxyde thermique humide, l'oxyde thermique sec produit une couche de dioxyde de silicium beaucoup plus fine et nécessite une procédure beaucoup plus longue. Les couches sèches de dioxyde de silicium n'ont qu'une épaisseur de 1,000Å en raison de ces restrictions.

Technique d'oxydation	Oxydation humide ou oxydation sèche
Diamètre	2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″
Épaisseur d'oxyde	100 Å ~ 15µm 10 nm ~ 15 µm
Tolérance	+/- 5%
Surface	Oxydation simple face (SSO) / Oxydation double face (DSO)
Four	Four tubulaire horizontal
Gaz	Hydrogène et oxygène gazeux
Température	900 degrés ~ 1200 degrés 900 ~ 1200 Celsius
Indice de réfraction	1.456